[시사포커스 / 임솔 기자] 이재용 삼성전자 부회장이 조 바이든 미국 대통령을 만난다. 2박3일 일정으로 한국을 방문하는 바이든 대통령이 윤석열 대통령과 삼성전자 평택공장을 방문할 때 이 부회장이 안내할 예정이다.

20일 법조계에 따르면 당초 이 부회장은 이날 오전 삼성바이오로직스 분식회계 의혹에 대한 심리를 위해 법원에 출석할 예정이었다. 그러나 이 부회장 측 변호인은 긴급 상황으로 출석하기 어렵다는 취지의 의견서를 제출했고, 재판부와 검찰 측은 변호인의 요청을 받아들여 이 부회장이 불출석한 상태에서 공판을 진행하기로 했다.

재판부는 이 부회장을 변론에서 분리한 후 추후 다시 병합하기로 했다. 이 부회장이 불참석한 상태에서 진행된 증인신문 결과는 다음 기일에 이 부회장이 출석했을 때 그 결과가 고지된다. 법원에 출석하지 않아도 되는 이 부회장은 양국 수장 안내를 위한 준비에 심혈을 기울일 전망이다. 이미 전날 평택캠퍼스를 찾아 사전 점검을 실시한 것으로 알려졌다.

바이든 대통령은 이날 오후 5시경 대통령 전용 공군기인 ‘에어포스원’을 타고 주한 미 공군 오산기지에 도착, 입국 직후 경기 평택 삼성전자 반도체 공장을 시찰한다. 평택공장은 최첨단 메모리와 파운드리 제품을 생산하고 있는 세계 최대 규모의 반도체 공장으로, 바이든 대통령은 취임 직후부터 반도체 산업에 대한 관심을 표명해왔다.

김태효 국가안보실 제1차장은 지난 18일 브리핑에서 “반도체 설계는 미국이 최강이고, 제조 공정은 삼성을 포함한 우리 기업이 최고”라며 “윤석열 대통령과 조 바이든 미 대통령 간의 이번 회담에선 기술동맹이 추가될 것”이라고 강조한 바 있다.

실제로 바이든 대통령은 이번 방문에서 한미 양국의 글로벌 공급망 안정화를 위한 공조를 논의할 것으로 보인다. 특히 반도체를 포함한 첨단산업 분야에서 양국의 협력도 제안할 것으로 보고 있다.

윤 대통령 역시 반도체·배터리·친환경·디지털·정보통신기술(ICT) 등 4차 산업혁명을 선도할 핵심 산업의 기술동맹 구축에 적극 참여해 미래 신기술 선점하겠다는 통상 정책 분야 공약을 내걸었다.

한편 지난 2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인(P1)은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인(P3)은 2018년 1월 착공돼 2020년부터 D램 제품을 출하했다. 올해 하반기 완공될 3라인(P3)의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기다. 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로, EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더욱 강화될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 ▲차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 ▲또 메모리와 시스템반도체를 융합한 ‘HBM-PIM’ ▲D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 ‘CXL D램’ 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 ‘초격차 세계 1위’ 위상을 강화할 계획이다.