차세대 모바일 D램인 20나노급 8기가비트(Gb) 램이 등장했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 “세계 최초로 차세대 모바일 D램인 20나노급 8기가비트(Gb) 저전력(LP) DDR4 제품을 개발했다”고 30일 잇따라 밝혔다.

LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격이다. 이번에 8기가비트 LPDDR4 모바일 D램이 개발되면서 지금까지 LPDDR3규격에 머물러 있던 모바일 D램 시장이 세대교체를 이룰 것으로 전망된다. LPDDR4의 세대가 오면 데이터 속도는 빨라지고 전력 소비는 감소되는 변화를 맞게 된다.

이 램은 LPDDR3 보다 2배 빠른 데이터 처리속도인 3,200Mb/s를 구현했고 1.1볼트(V) 저전력 아키텍쳐를 적용해 소비전력도 40% 낮췄다.

삼성전자는 이번 8Gb LPDDR4 모바일 D램 개발을 통해 앞으로 스마트폰이나 태블릿, 울트라북 등에 들어가는 모바일 D램 용량도 현재 최고 수준인 3기가바이트(GB) 보다 높아진 4GB 시대를 열 것으로 기대하고 있다.

삼성전자는 이 제품을 내년 상반기에 양산에 들어갈 예정이다.

SK하이닉스도 현재 시제품을 주요 고객사와 시스템온칩(SoC) 업체에 제공해 새로운 모바일 D램 규격 표준화를 위한 협업을 강화하고 있다. SK하이닉스는 이 제품을 내년 하반기부터 본격적으로 양산한다는 계획이다.