▲ 삼성전자 DDR4 / 사진 : 삼성전자

차세대 초고속 메모리 ‘DDR4’ 양산이 시작됐다.

삼성전자는 30일 차세대 데이터센터의 엔터프라이즈 서버에 탑재되는 최고 속도의 ‘20나노급 DDR4 모듈’ 양산에 돌입했다고 밝혔다.

이번에 양산되는 ‘20나노급 DDR4 D램’ 제품은 2008년 ‘50나노급 DDR3 D램’ 이후 5년만에 메인 메모리 시장을 전환하는 제품으로 세계 최소 칩 사이즈에 초당 데이터 처리속도가 2,667Mb/s 까지 구현된다.

이는 ‘20나노급 DDR3 D램’보다 소비전력을 30% 이상 줄이면서도 1.25배 빠른 속도를 구현한 것이다.

삼성전자가 ‘20나노급 DDR4 D램’을 탑제한 ‘20나노급 32GB DDR4 모듈’을 본격 공급하면 현재 ‘30나노급 8GB DDR3 모듈’이 주를 이루는 서버시장은 고성능 저전력 대용량의 ‘DDR4’ 시장으로 빠르게 전환될 전망이다.

DDR4는 DDR3에 비해 전압이 1.2~1.65V에서 1.05~1.2V로 낮아지고, 데이터 전송 비율도 800MT/s에서 2133~4266MT/s로 높아지는 등의 장점을 가지고 있는 차세대 메모리 규격이다. 

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