삼성전자, 평택에 10조원 규모 EUV 파운드리 투자하는 이유는?
삼성전자, 평택에 10조원 규모 EUV 파운드리 투자하는 이유는?
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삼성, 2030년까지 시스템 반도체 세계 1위 목표
5nm 이하 선단공정 비메모리 수주 위한 중장기 투자계획 일부
삼성전자 평택캠퍼스. ⓒ삼성전자
삼성전자 평택캠퍼스. ⓒ삼성전자

[시사포커스 / 임솔 기자] 삼성전자가 경기도 화성에 이어 평택에도 첨단 반도체 파운드리를 만들겠다고 발표했다.

삼성전자는 지난 21일 EUV(극자외선) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다고 밝혔다. 그러면서 이는 작년 4월 발표한 ‘반도체 비전 2030’ 관련 후속 조치의 일환이며, 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수해 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이라고 덧붙였다.

그러나 삼성전자의 이번 투자 발표가 미묘한 시점에 나왔다는 목소리도 나오고 있다. 미국 정부가 파운드리 1위인 대만의 TSMC 등에 미국 공장 확장을 요구하자 TSMC가 이를 수락했기 때문이다. 파운드리 글로벌 선도 업체인 TSMC와 그 뒤를 쫓아가고 있는 삼성전자가의 점유율 격차는 약 36%p에 달하고 있다. 삼성전자는 2030년까지 시스템 반도체 분야에서도 1위로 올라서겠다고 밝힌 바 있다.

이에 대해 김선우 메리츠증권 연구원은 지난 21일 “향후 5nm이하 선단공정 비메모리 수주를 위한 중장기 투자계획 중 일부로 보인다”며 “규모나 시점은 특정되지 않았지만 당사는 인프라투자 2.5~3.0조원 내외, 이후 설비투자 7~8조원 내외 규모의 대형 투자 프로젝트로 추정한다”고 밝혔다.

이어 “삼성전자 LSI(고밀도집적회로) 사업부 관점에서는 TSMC 대비 선단공정의 경쟁력을 빠르게 회복하는 계기로 작용하며, 내년 파운드리 Capa 확충을 바탕으로 6nm 이하급 수주 활동이 비약적으로 개선되리라 판단된다”며 “만약 향후 미국 텍사스 오스틴 향 EUV 투자가 뒤따를 경우 이는 개발 및 제품 적시성이 중요한 고객 확보에도 긍정적일 전망”이라고 덧붙였다.

이승우 유진투자증권 연구원은 22일 “EUV 기반의 초미세 공정에서 삼성전자는 TSMC 와 막상막하 경쟁을 할 정도로 기술적인 면에서는 경쟁력을 갖추고 있는 것으로 평가된다”면서도 “그러나 고객 포트폴리오와 규모면에서는 격차가 작지 않다. 올해 말 기준 TSMC의 7 나노 이하 캐파는 월 140K로, 30K의 삼성을 압도한다”고 설명했다.

이어 “결국 전략 고객 포트폴리오를 어떻게 안정적으로 확보하느냐에 달렸다”며 “기존 고객의 수주 비중 확대, 과거 고객의 재유치, 신규 잠재 고객의 영입 등에 대한 주도면밀하고 중장기적인 전략 수립이 중요해 보인다”고 덧붙였다.

 



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