삼성전자, 파운드리 포럼서 3나노 키트 팹리스업계에 공개
삼성전자, 파운드리 포럼서 3나노 키트 팹리스업계에 공개
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'삼성 파운드리 포럼 2019'개최…3GAE 공정설계 키트 팹리스 업계에 배포
5월 14일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2019'에서 삼성전자 파운드리 사업부 정은승 사장이 기조 연설을 하고 있다. ⓒ 삼성전자
5월 14일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2019'에서 삼성전자 파운드리 사업부 정은승 사장이 기조 연설을 하고 있다. ⓒ 삼성전자

[시사포커스 / 강기성 기자] 삼성전자가 14일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2019(Samsung Foundry Forum 2019)'를 개최하고 '차세대 3나노 GAA 공정'과 새로운 고객 지원 프로그램인 'SAFETM-Cloud'를 소개했다.

삼성전자는 지난해 GAA(Gate-All-Around)를 3나노 공정에 도입하겠다고 공개한데 이어 올해 포럼에서는 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)의 공정 설계 키트(PDK v0.1, Process Design Kit)를 팹리스 고객들에게 배포했다고 밝혔다. 3나노 GAA 공정에서 1세대를 Early, 이후 성능과 전력이 개선된 2세대를 Plus라고 말하고 있다.

팹리스 고객들은 SAFETM-Cloud 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 공정 설계 키트(PDK, Process Design Kit), 설계 방법론(DM, Design Methodologies), 자동화 설계 툴(EDA, Electronic Design Automation), 설계 자산(라이브러리, IP) 등을 이용해 투자 비용을 줄이고 보다 빠르게 반도체를 제작할 수 있다.

현재 삼성전자내 삼성LSI사업부는 자체적으로 팹리스업무를 맡고 있다. 삼성전자의 파운드리는 주로 팹리스 업체인 퀄컴등을 통해 스마트폰 AP를 위탁생산하고 있으며, 삼성LSI사업부는 자체 AP 엑시노스와 이미지센서, 자율주행 관련 시스템반도체 등을 설계해 파운드리사업부가 생산하고 있다.

삼성전자는 3GAE 공정이 최신 양산 공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45% 가량 줄일 수 있으며, 약 50%의 소비전력 감소와 약 35%의 성능 향상 효과가 기대된다고 설명했다.

삼성전자는 3나노 공정에서 독자적인 MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET) 기술을 통해 차별화된 이점을 팹리스 고객사들에게 제공할 계획이다.

MBCFETTM은 기존의 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 한층 더 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는 방식으로, 성능과 전력효율을 높이는 것은 물론 핀펫 공정과도 호환성이 높아 기존 설비와 제조 기술을 활용할 수 있다는 장점을 가지고 있다.

정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 "반도체 공정과 생산, 패키지 분야의 앞선 기술뿐만 아니라 파운드리 업체와 고객, 파트너가 서로 신뢰하고 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다"라며 "이번 포럼을 통해 삼성전자의 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어서 무척 기쁘다"라고 밝혔다.

한편, 올해 '삼성 파운드리 포럼 2019'는 △미국 (5월 14일) 캘리포니아, 산타 클라라 메리어트 호텔 중국(6월 5일) 상하이, 징 안 샹그릴라 호텔 △한국(7월 3일) 서울, 그랜드 인터콘티넨탈 호텔 △일본(9월 4일) 도쿄, 시가나와 인터시티 홀 △유럽중동아프리카(EMEA)(10월 10일) 뮌헨, 힐튼 에어포트 호텔 순으로 개최된다.


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