삼성전자, 초격차 기술로 생산라인 확대
SK하이닉스, 공장 증설 및 자회사 투자

▲ 경기도 평택시 고덕산업단지에 들어서는 세계 최대 규모의 삼성전자 반도체 단지. ⓒ삼성전자
[시사포커스 / 김용철 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 선제적 대응으로 내년도 불확실한 반도체 시장에 유리한 고지 선점에 나서고 있다. 올해 최대 실적을 내고 있는 양사는 특히 기술격차와 대규모 투자를 확대하고 있다.

22일 반도체 업계에 따르면 내년도 파운드리 전략 일환으로 삼성전자는 파운드리 기술 연구개발(R&D)과 생산 라인 확대에 초점을, SK하이닉스는 중국 기업과 현지 합작회사를 설립하는 방안을 추진 중이다.

삼성전자는 지난 18일부터 20일까지 열린  DS(디바이스솔루션즈)부문 글로벌전략회의에서 파운드리(위탁생산)와 시스템LSI 부문에도 힘을 실기로 했다. 메모리반도체에 강점을 갖고 잇는 삼성전자는 시스템반도체부문은 상대적으로 취약하다. 때문에 올해 인텔을 제치고 반도체부문 1위에 오른 삼성은 내년도 시장전략을 ‘초격차 전략’강화로 의견이 모아졌다.

삼성전자는 지난 5월 시스템 LSI사업부를 팹리스와 파운드리로 분리하며 파운드리 경쟁력 강화에 나선 상황이다. 이에 6조원을 투입한 연면적 10만평 규모의 화성공장 18라인이 지난 1일 인허가가 내려지면서 내년 초 착공한다. 화성 반도체 공장에는 7나노미터(㎚, 10억분의 1m) 이하 공정을 위한 극자외선 노광장비(EUV)가 투입될 예정이다. 앞서 삼성전자는 10나노 2세대 핀펫 공정(10LPP, Low Power Plus) 기반의 파운드리(반도체 수탁생산) SoC(시스템온칩) 제품 양산에 돌입했다.

삼성전자는 10나노 2세대 공정 양산과 함께 화성캠퍼스에 위치한 S3 라인의 파운드리 공정 양산 준비를 완료했다. 삼성전자 관계자는 “향후 다양한 응용처에 차별화된 경쟁력을 제공하기 위해 10나노 기반 공정을 8LPP 공정까지 확대하는 등 삼성전자의 10나노 장기 활용 전략은 지속될 것”이라고 말했다.

또 세계 최초로 ‘10나노급 2세대(1y나노) D램’을 양산한다. 지난 달부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급 (1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다. 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했다는 평가다.
▲ SK하이닉스 청주공장 모습.ⓒSK하이닉스

SK하이닉스의 경우 파운드리 경쟁력은 걸음마 수준이다. 선두권 업체뿐만 아니라 국내에서도 파운드리사 동부하이텍에도 밀리는 등 홀로서기가 쉽지 않은 상황이다. 이에 선두권과의 격차를 좁히기 위해 기존 시스템반도체업체와의 제휴 및 사업양수 등을 적극적으로 추진하고 있다. 

SK하이닉스는 지난해 파운드리 부문에서 매출 1억400만달러(약 1130억원)를 올렸다. 점유율은 0.2%에 불과해 세계 24위에 그쳤다. 삼성전자의 파운다리 점유율은 7.7% 수준이다. 업계 1위인 대만의 TSMC가 55.9%로 이 분야를 독식하고 있다. 이에 따라 파운드리 사업 강화를 위해 중국 기업과 현지 합작법인(조인트벤처)를 설립하는 방안을 추진한다.

업계에 따르면 SK하이닉스는 지난 20일 이사회를 열고 중국내 합작회사 설립 및 공장 건설에 관해 논의하고 파운드리 자회사 SK하이닉스시스템아이씨(IC)에 7천만 달러(약 756억원)를 출자하기로 결정했다. SK하이닉스는 2018년부터 2021년까지 4년간 중국 충칭법인에 2억5천만달러(약 2천723억원)를 출자해 중국 충칭에 후공정 공장을 증설할 계획이다. 
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